Перегляд за автором "Baran, M."

Результати 1-8 з 8

Effect of light illumination on antiferromagnet-metamagnet phase transitions in the garnet Ca₃Mn₂Ge₃O₁₂

Bedarev, V.A.; Gapon, V.I.; Gnatchenko, S.L.; Baran, M.; Szymczak, R.; Desvignes, J.M.; Gall, H. Le (Физика низких температур, 2002)

The effect of linearly polarized light illumination on the metamagnetic phase transition in the antiferromagnetic garnet Ca₃Mn₂Ge₃O₁₂ is studied.
Magnetic and resonance properties of the two-dimensional S = 1 compound Ni₅(TeO₃)₄Cl₂ with frustrated geometry

Gnatchenko, S.L.; Kobets, M.I.; Khatsko, E.N.; Baran, M.; Szymczak, R.; Lemmens, P.; Berger, H. (Физика низких температур, 2008)

The magnetic and magnetoresonance properties of a new single-crystal compound Ni₅(TeO₃)₄Cl₂ are studied. The measurements of the magnetization and magnetic susceptibility of the crystal in a wide temperature range (5–300 ...
Magnetic properties lithium-doped manganite single crystals

Barilo, S.N.; Bychkov, G.L.; Gatalskaya, V.I.; Kurochkin, L.A.; Sokol, V.P.; Szymczak, H.; Szymczak, R.; Baran, M. (Физика низких температур, 2001)

Magnetic and resistivity properties of La₁₋xLixMnO₃ single crystals with the perovskite structure at lithium concentrations x=0.06 and 0.2 are investigated over a broad temperature range at fields of up to 50 kOe. The Curie ...
Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems

Baran, M.; Bulakh, B.; Korsunska, N.; Khomenkova, L.; Yukhymchuk, V.; Sheinkman, M. (Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003)

Si-rich SiO₂ films prepared by r.f. magnetron sputtering and annealed at 1150 °C are investigated by photoluminescence, Raman and EPR methods. It is found that emission spectrum of as-prepared samples contains one broad ...
Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик–ферромагнитный металл в тонких пленках Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃

Aleshkevych, P.; Baran, M.; Бедарев, В.А.; Гапон, В.И.; Горбенко, О.Ю.; Гнатченко, С.Л.; Кауль, А.Р.; Szymczak, R.; Szymczak, H. (Физика низких температур, 2004)

Исследовано влияние светового облучения на магнитные и транспортные свойства эпитаксиальных тонких пленок манганита Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃. Обнаружено, что облучение пленок светом He–Ne лазера приводит к увеличению их ...
Коэрцитивные свойства многослойной пленки Gd/Si/Co с точкой компенсации

Меренков, Д.Н.; Гнатченко, С.Л.; Чижик, А.Б.; Шахаева, Ю.А.; Baran, M.; Szymczak, R.; Васьковский, В.О.; Свалов, А.В. (Физика низких температур, 2004)

Определена температурная зависимость поля коэрцитивности Hc многослойной пленки [Gd75Å/Si5Å/Co30Å/Si5Å]₂₀ с ферримагнитным упорядочением магнитных моментов слоев кобальта и гадолиния. Максимальное значение Hc наблюдается ...
Неколлинеарные магнитные структуры в пленке Fe/Si/Fe с ферромагнитным межслойным обменным взаимодействием

Чижик, А.Б.; Гнатченко, С.Л.; Baran, M.; Fronc, K.; Szymczak, R.; Zuberek, R. (Физика низких температур, 2002)

Представлены результаты магнитных и магнитооптических исследований магнитных конфигураций в трехслойной пленке Fe(30Ǻ)/Si(14Ǻ)/Fe(30Ǻ), в которой наблюдается ферромагнитный и биквадратный обмен между слоями железа, а также ...
Обменная анизотропия в поликристаллических пленках FeNi/FeMn c асимметрией петли гистерезиса

Meренков, Д.Н.; Блудов, А.Н.; Гнатченкo, С.Л.; Baran, M.; Szymczak, R.; Новосад, В.A. (2007)

Процесс перемагничивания изготовленной в магнитном поле поликристаллической пленки FeNi(50 Е)/FeMn(50 Е) исследован в области температур от 25 до 300 К. Внешнее поле было направлено в плоскости пленки вдоль легкой или ...

Результати 1-8 з 8

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Baran, M."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Baran, M."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис